24小时服务热线
19337881562
碳化硅与硅：两种材料的详细比较
碳化硅是人类已知的最坚固的材料之一，由硅（Si）和碳（C）元素组成。 这种砂粒又称 "碳化硅"，具有高硬度、优异的导热性和耐磨性等优异特性。 碳化硅的非凡特性使其在许多 2021年8月16日 使用碳化硅MOSFET功率模块的光伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍，从而缩小系统体积、增加 第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 - 知乎
了解更多
碳化硅_百度百科
碳化硅脱氧劑是一種新型的強複合脱氧劑，取代了傳統的硅粉碳粉進行脱氧，和原工藝相比各項理化性能更加穩定，脱氧效果好，使脱氧時間縮短，節約能源，提高鍊鋼效率，提高 2021年3月13日 碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，因为禁带宽度大于2.2eV统称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三 碳化硅(SiC)的前世今生！ - 知乎
了解更多
什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
2023年6月22日 碳化硅，也称为 SiC，是一种半导体基础材料，由纯硅和纯碳组成。 您可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体，或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体。2021年7月5日 硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料， 90%以上的半导体产品是以硅为原材料制成的。. 然而受材料本身特性的限制，硅基功率器件已经渐渐难以满足 5G 基站、新能源车及高铁等新兴应用对器件 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道_澎湃
了解更多
什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
2023年6月22日 碳化硅是怎么制成的？ 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是无色的，是碳化硅在 2700 摄氏度升华时形成的。2022年4月25日 本文主要讲硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别。我们先来看看碳化硅mosfet概述：在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低， 详解碳化硅MOSFET跟IGBT应用上的区别！ - 亿伟世
了解更多
碳化硅 - Wikiwand / articles
碳化硅（英语： silicon carbide，carborundum ），化学式SiC，俗称金刚砂，宝石名称钻髓，为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然以莫桑石这种稀有的矿物的形式存在。 自1893年起碳化硅粉末被大量用作磨料。将碳化硅粉末烧结可得到坚硬的陶瓷状碳化硅颗粒，并可将之用于诸如汽车刹车片 ...碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高温冶煉而成。碳化硅是一種半導體，在自然界中以極其罕見的礦物莫桑石的形式存在。自1893年以來已經被大規模生產為粉末和晶體，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 ...碳化硅_百度百科
了解更多
碳化硅与氮化硅：两种材料的特性与应用差异 - 百家号
2023年12月15日 碳化硅，化学式为SiC，是一种无机非金属材料。它是由硅和碳在高温下反应生成的，具有许多优异的性质，如高硬度、高强度、高抗氧化能力等。碳化硅的硬度非常高，仅次于金刚石，因此被称为“陶瓷钢”。2024年1月26日 半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。而碳化硅(SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳原子（硅也可以）形成最紧密堆积层碳化硅 (SiC)半导体结构及生长技术的详解 - 九域半导体科技 ...
了解更多
碳化硅MOS管与MOS管有何差异？碳化硅有什么优势 ...
2023年9月27日 文章浏览阅读751次。碳化硅MOS管是以碳化硅半导体材料为基础的金属氧化物半导体场效应管，与传统的硅MOS管有很大的不同。KeepTops来给大家详细介绍碳化硅MOS管与普通MOS管在材料、特性、工作原理及应用等方面的区别。_碳化硅mos管2021年7月5日 同规格碳化硅器件性能优于硅器件 碳化硅 衬底依电阻率不同分为导电型和半绝缘型两类，分别外延沉积碳化硅和氮化镓后，用于功率器件和射频器件的制作。1、 导电型衬底：具有低电阻率（15~30mΩcm）的碳化硅衬底。通过在导电型碳化硅衬底上 ...揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道_澎湃号湃客 ...
了解更多
碳化硅功率器件技术综述与展望 - CSEE
2020年3月16日 近20 多年来，以碳化硅(silicon carbide，SiC) 为代表的宽禁带半导体器件，受到了广泛的关注。SiC 材料具有3 倍于硅材料的禁带宽度，10 倍于硅 材料的临界击穿电场强度，3 倍于硅材料的热导率，因此SiC 功率器件适合于高频、高压、高温等应用2023年11月20日 常用的陶瓷轴承材料有氮化硅（Si3N4）、氧化锆（ZrO2）、氧化铝（Al2O3）或碳化硅（SiC）等。而用于水处理环境的最佳陶瓷材料是氮化硅和氧化锆，其使用寿命比不锈钢轴承长70倍（原因读完本篇你就知道了）。氮化硅陶瓷和轴承钢的特性碳化硅，氮化硅，氧化铝，氧化锆，氮化硼等一文读懂先进 ...
了解更多
碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社
2 天之前 液态硅或硅蒸汽与胚体中的碳之间发生原位碳反应，生成β-SiC，原有的SiC颗粒再与之结合，形成碳化硅材料。 反应烧结碳化硅中有大量的游离硅，反应烧结烧结温度低、生产成本低、材料致密度高等优点 [13]，并且在反应烧结过程中几乎不发生体积收缩现象，非常适合生产一些复杂结构的产品。2024年1月26日 半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。而碳化硅(SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳原子（硅也可以）形成最紧密堆积层碳化硅 (SiC)半导体结构及生长技术的详解 - 九域半导体科技 ...
了解更多
氮化镓 (GaN)和碳化硅 (SiC)的区别在哪里？这篇指南送给你
2022年3月30日 然而，与硅相比，它们具有显著的优势。新的更高要求的应用，如汽车电气系统和电动汽车(EVs)，正发现化合物半导体能更好地满足其严格的规格要求。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。与传统硅器件相比，基于碳化硅的功率器件具有多种关键优点。其更高的电压和频率性能实现了更高的系统效率、更快速的开关、更低的损耗，以及更出色的热管理。正因如此，SiC器件能够支持更小、更轻的功率设计（具有更高的功率密度）。碳化硅 - 意法半导体STMicroelectronics
了解更多
碳化硅，氮化硅，氧化铝，氧化锆，氮化硼等一文读懂先进 ...
2023年11月20日 常用的陶瓷轴承材料有氮化硅（Si3N4）、氧化锆（ZrO2）、氧化铝（Al2O3）或碳化硅（SiC）等。而用于水处理环境的最佳陶瓷材料是氮化硅和氧化锆，其使用寿命比不锈钢轴承长70倍（原因读完本篇你就知道了）。氮化硅陶瓷和轴承钢的特性2023年9月27日 文章浏览阅读763次。碳化硅MOS管是以碳化硅半导体材料为基础的金属氧化物半导体场效应管，与传统的硅MOS管有很大的不同。KeepTops来给大家详细介绍碳化硅MOS管与普通MOS管在材料、特性、工作原理及应用等方面的区别。_sicmos碳化硅MOS管与MOS管有何差异？碳化硅有什么优势 ...
了解更多
第三代半导体材料的王者，氮化镓or碳化硅？ - 知乎
2020年2月22日 最近很火的特斯拉model3采用了意法半导体的24个碳化硅MOSFET模块，对比硅基的IGBT续航可以提升5~10%。 3、两者对比 从两者各自的特性，碳化硅是衬底材料最优的选择，以此生长碳化硅的外延片适合高压功率半导体，生长氮化镓的外延片适合中低压功率半导体、LED、射频。2022年4月24日 这类碳化硅陶瓷多选择常压烧结制备，常压烧结碳化硅不同于反应烧结碳化硅，材料中没有游离硅的存在，其极限服役温度得到了提升。 另外固相常压烧结碳化硅中通常会使用碳作为烧结助剂，这对材料的润滑性也有较大提升，延长了材料的使用寿命。国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
了解更多
碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领行业变革 ...
2022年10月9日 碳化硅优良的频率、散热特性，使得其在射频器件上也得到广泛应用。碳化硅、 氮化镓材料的饱和电子漂移速率分别是硅的 2.0、2.5 倍，因此碳化硅、氮化镓器 件的工作频率大于传统的硅器件。2022年12月1日 半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为三代：第一代半导体材料主要是高纯度硅，目前被广泛使用；第二代化合物半导体材料包括砷化镓和磷化铟；第三代化合物半导体材料以碳化硅和氮化镓为代表。碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望 ...一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区
了解更多
碳化硅(SiC)的前世今生！ - 知乎
2021年3月13日 相比传统的硅材料，碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8倍；电子饱和漂移速率为硅的2 倍。种种特性意味着碳化硅特别适于制造耐高温、耐高压，耐大电流的高频大功率的 2023年7月14日 早在2018年，特斯拉率先在Model3的主驱逆变器里，使用基于碳化硅材料的碳化硅MOSFET，以替代传统的硅基IGBT ，此举引发了行业震动。碳化硅器件凭借体积小、性能优越、节能性强，还顺带缓解了续航问题，一举成为新能源车的当红炸子鸡，一众车 ...碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus_
了解更多
氮化镓GaN还是碳化硅SiC？_
2021年9月14日 氮化镓 晶体管和 碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。 他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度 ...2014年6月10日 化学分析计量CHEMICALANALYSISANDMETERAGE第卷，第6期013年11月Vol.，No.6Nov.0136doi：10.3969／j.issn.1008–6145.013.06.007等离子体发射光谱法测定碳化硅中的游离总硅含量*柳洪超，鲁毅，刘霞，郭国建，吴立军，李颖，黄辉，李本涛 徐云霞 （中国兵器工业集团第五三研究，济南 50031） （北方通用动力集团有限公司 ...等离子体发射光谱法测定碳化硅中的游离总硅含量 - 道客巴巴
了解更多
碳化硅SiC器件-英飞凌(Infineon)官网 - Infineon Technologies
2 天之前 我们不断在现有硅器件基础上进行碳化硅产品（包括沟槽技术领域革命性的CoolSiC™ MOSFET ）的扩展。如今，英飞凌可提供业界最全面的功率产品组合，从超低压到高压功率器件等不一而足。 我们不仅要确保提供最适合的解决方案，还要进一步优化基于 ...2016年6月3日 铝碳化硅材料因其质轻、强度高、热形变小，初面世，就得到航空、航天领域的重视，用于制作机载相阵控雷达 座、飞机腹鳍、直升机配件等，卫星制造方面也很早 铝碳化硅的生产工艺关键是净成形技术。铝碳化硅不宜采用机械加工方式去加工，其难铝碳化硅（AlSiC）复合材料及产品介绍 铝碳化硅复合材料介绍
了解更多
SIC知识（9）--碳化硅晶片C面和Si面详解 - CSDN博客
2024年4月30日 文章浏览阅读1.6k次，点赞3次，收藏7次。本文详细介绍了碳化硅(SiC)的化合物性质，包括其结构特点（如Si-C四面体和层状结构），键能比较，以及不同晶型的标记方法。着重讨论了C面和硅面对碳化硅晶片性能的影响，以及在器件制造工艺中的作用。2024年8月24日 反应烧结碳化硅陶瓷的制备工艺较为简单，它直接采用一定颗粒级配的碳化硅(一般为 1 ～ 10 μm)，与碳混和后成形素坯，然后在高温下进行渗硅，部分硅与碳反应生成 SiC 与原来坯体中的 SiC 结合，达到烧结目的。几种碳化硅陶瓷的致密化工艺 - 艾邦半导体网
了解更多
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 - 知乎
2019年9月5日 材料成本过高。目前碳化硅芯片的工艺不如硅成熟，主要为4英寸晶圆，材料的利用率不高，而Si芯片的晶圆早已经发展到12寸。具体而言，相同规格的产品，碳化硅器件的整体价格达到硅器件的5-6倍。 高温损耗过大。2020年9月21日 近年来，以碳化硅 为代表的第三代半导体材料在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面具有显著优势，进一步满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基 ...第三代半导体材料之碳化硅（SiC）应用现状及前景分析_器件
了解更多