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揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道_澎湃
2021年7月5日 碳化硅器件具备广阔的应用领域和市场空间， 2019 年全球碳化硅功率器件市场规模为 5.41 亿美元，预计 2025 年将增长至 25.62 亿美元，年化复合增速约 30%。 本期的智能内参，我们推荐东兴证券的报告 2021年3月2日 与传统的硅材料相比，碳化硅（SiC）的新型半导体材料具有更好的导热性、更高的开关速度和更小的器件尺寸，因此受到人们的欢迎。 这就是为什么碳化硅开关成为半导体设计师的乐趣。与传统的硅材料相比，碳化硅（SiC）新型半导体材
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第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 - 知乎
2021年8月16日 碳化硅的优势. 硅，是制造半导体芯片及器件最为主要的原材料，因自然界储量大、制备相对简单等优点，成为了目前制造半导体芯片和器件最为主要的原材料， 2020年9月21日 碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。 资料来 第三代半导体材料之碳化硅（SiC）应用现状及前景
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英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动 ...
2024年3月12日 英飞凌凭借 CoolSiC™ MOSFET G2 将碳化硅的性能提升到了新的水平。新一代碳化硅技术使厂商能够更快地设计出成本更低、结构更紧凑、性能更可靠，且效率 2023年5月6日 随着新能源汽车的普及及5G的商用，量产新能源车型中搭载碳化硅（SiC）以及5G基站功放使用碳化硅基氮化镓，催生了碳化硅产业链从衬底-外延-器件-模块-应用巨大的市场需求。. 我国目前在以碳化硅、氮 顺利开幕-2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半
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碳化硅功率器件技术综述与展望 - CSEE
2020年3月16日 摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)器件作为一种宽禁带半导 体器件，具有耐高压、高温，导通电阻低等优点。近20 年 来，SiC 器件是国内外学术界和企业界的一 新型碳化硅功率二极 管的研究 来自 掌桥科研 喜欢 0 阅读量： 251 作者： 任娜 展开 摘要： 随着绿色高效能源转换的迫切要求和电力电子技术的不断发展,以硅材料为基础的传统电力电子器件的物理局限性日益显现,严重制约了器件的工作电压,工作 ...新型碳化硅功率二极管的研究 - 百度学术
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铝碳化硅（AlSiC）复合材料及产品介绍 铝碳化硅复合材料介绍
2016年6月3日 新型功能复合材料，全称铝基碳化硅陶瓷颗粒增强复合材料（Aluminum Matrix SiC Particle Reinforced Material ）。其展现出的优异性能，吸引了国内外无数的科研院所和科技公司对其 生产制造技术投入资金、技术、人力进行研发。 铝碳化硅复合材料，尤 2024年7月1日 投资摘要卡位碳化硅产业链关键节点，本土衬底龙头换道超车开花结果。碳化硅是第三代半导体材料代表，利用其大禁带宽度特点制成的功率器件能够更好地适应高压、高温工作环境，有效降低系统的电气尺寸和运行成本，在新能源汽车及充电、光伏、电网等领域具有极大的应用潜力。天岳先进: 四大核心竞争力护航，本土碳化硅衬底龙头开启 ...
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新型铝基碳化硅复合材料为“祝融”漫步火星护航 --科技 ...
2021年5月26日 新型铝基碳化硅 复合材料 为“祝融”漫步火星护航 科技日报讯 （记者郝晓明）继5月15日天问一号任务着陆巡视器成功软着陆于火星乌托邦平原南部预选着陆区后，国家航天局对外宣布，祝融号火星车已于5月22日安全驶离着陆平台，到达火星表面 ...2024年4月15日 当前，新型电力系统所采用的碳化硅器件分成两类，一类是中低压的SiC MOSFET器件，电压范围为1200V-6500V。这类碳化硅器件主要用在配电网，比如分布能源的光伏逆变器、储能PCS 等。需求放量是在未来配网实现有源化之后，交流和直流的连接必 话题｜碳化硅在新型电力系统中的应用与可靠性研究-电子 ...
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新型碳化硅/氟碳树脂超疏水涂层，兼具优异憎水性和电荷消散 ...
2023年12月11日 水滴易被电场驱离，可形成较大干区，显著提升了涂层的湿闪电压。 该新型碳化硅/ 氟碳树脂超疏水涂层表现出良好的憎水性能、电荷消散特性和直流沿面闪络性能，对提升高湿环境中能源电力装备的绝缘性能具有重要参考价值 ...新型碳化硅 陶瓷基复合材料的研究进展 21人下载 热门下载 国家科技图书文献中心 (权威机构) 维普期刊专业版 万方 钛学术 (全网免费下载) 钛学术 钛学术 (全网免费下载) 通过文献互助平台发起求助，成功后即可免费获取论文全文。 请先登入 我们已与 ...新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展 - 百度学术
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厦门芯光润泽新型碳化硅MOSFET器件_
2020年4月30日 近些年来电力电子系统的发展对系统中的功率器件提出了更高的要求，硅(Si)基电力电子器件由于材料本身的限制已无法满足系统应用的要求。而新型半导体材料碳化硅(SiC)在诸多特性上远好于硅材料，使用碳化硅制备的MOSFET器件在导通电阻、开关时间、开关损耗和散热性能等方面，均有着替代现有 ...摘要： 整星固有频率特性一直是卫星主结构刚度设计的主要约束条件之一,而主结构材料的弹性模量是影响刚度的主要因素,采用铝基碳化硅新型材料,可以在不增加重量,不对工艺作大的修改的前提下,有效提高整星结构刚度,满足大重量卫星的刚度要求.本文介绍了新型铝基碳化硅复合材料的性能和在 ...新型铝基碳化硅复合材料在卫星主结构中的应用 - 百度学术
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新型高压碳化硅功率模块封装设计与优化-国家自然科学基金 ...
新型高压碳化硅 功率模块封装设计与优化 负责人：王来利 依托单位：西安交通大学 批准年份：2022 前往基金查询 项目简介 项目名称 新型高压碳化硅功率模块封装设计与优化 ...2013年6月25日 在运用碳化硅的新型 BJT 中不存在同样的问题。 与硅相比，碳化硅支持的能带间隙是其三倍，可产生更大的电流增益，以及更低的驱动损耗，因此 BJT 的效率更高。 碳化硅的击穿电场强度是硅的 10 倍，因此器件不太容易受到热击穿影响，并且要可靠得多。BJT重获新生？SiC BJT让光伏逆变器系统成本显著降低-测试 ...
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首次发现！碳化硅成为微芯片传感器中的新型超强材料-电子 ...
2023年11月6日 金刚石，虽然非常坚固，但要么是稀有的，要么是昂贵的合成。另一方面，非晶碳化硅可以在晶圆级生产，提供这种令人难以置信的坚固材料的大板。“ 随着无定形碳化硅的出现，我们正处于芯片研究充满技术可能性的门槛上。” Norte 总结说。来源：2021年5月26日 “与传统铝基碳化硅复合材料相比，新型复合材料塑性提升了一倍以上，而且具有高强度、高度各向同性、优异的耐磨性和尺寸稳定性。 ”中国科学院金属研究所研究员马宗义介绍，为了满足火星车不同部件要求，研发人员突破了各种技术瓶颈，做出了不同规格的复合材料样件。【科技日报】新型铝基碳化硅复合材料为“祝融”漫步火星护航 ...
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碳化硅是一种新型的超级材料，它在微芯片传感器中起着非常 ...
2023年11月12日 碳化硅（SiC）它是一种具有广泛应用潜力的新型超级材料，尤其是在微芯片传感器领域。本文将探讨碳化硅在微芯片传感器中的应用及其在该领域的优势和挑战。微芯片传感器是一种小型的2N3904传感器装置，可以在微尺度上实现各种传感功能。2024年4月16日 碳化硅在新型电力体系中的应用-目前STATCOM多采用GTO、IGBT及IGCT等全控型器件作为开关。如IGCT其耐压可达6.5kV，通断电流可达4000A。但在输电系统中，其电压电流等级仍然偏小，需要依靠多电平拓扑或器件串联，来提高耐压能力。碳化硅在新型电力体系中的应用 - 模拟技术 - 电子发烧友网
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【前沿】新型碳化硅/氟碳树脂超疏水涂层，提升输电线路绝缘 ...
2023年11月16日 新型碳化硅/ 氟碳树脂超疏水涂层，兼具优异憎水性和电荷消散特性，可提升高湿环境中能源电力装备的绝缘性能！ 绝缘子是输电线路中承担机械支撑和电气绝缘作用的重要部件。随着输电线路电压等级的逐步提高，绝缘子沿面闪络逐渐成为威胁 ...2020年1月23日 新型碳化硅超高压器件终端技术 在碳化硅 IGBT的研制过程中，离子注入掺杂工艺在器件外围形成球面结和柱面结，因此需要设计有效的终端结构来提高高压碳化硅器件的击穿能力。常用于碳化硅终端技术的结构包括结终端扩展（JTE）、场限环（GR）、场板 新型碳化硅IGBT器件，首次成功实现导通电流密度突破50A/cm2
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碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领行业变革 ...
2022年10月9日 由于碳化硅材料具有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿强度、高热导 率等特点，碳化硅是功率器件理想的制造材料。当前碳化硅材料功率器件主要分为 二极管和晶体管，其中，二极管主要包括肖特基二极管（SBD）、结势垒肖特基二 极管（JBS）、PiN 功率二极管（PiN）；晶体管主要包括金属 ...2023年9月22日 一、铝碳化硅材料简介 铝碳化硅是目前金属基复合材料中最常见、最重要的材料 ... 常用金属封装材料与CaAs芯片的微波器件封装需求存在性能上的差距，使得研发一种新型轻质金属封装材料,满足航空航天用器件封装成为急需，引发相关部门调试 ...新型化合物半导体封装材料—铝碳化硅 - 知乎
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采用新型原料体系制备纯碳化硅涂层的化学气相沉积方法 ...
2022年9月7日 本专利由中国科学院金属研究所申请，2024-03-15公开，本发明属于防护涂层制备技术领域，具体涉及一种采用新型原料体系制备纯碳化硅涂层的化学气相沉积方法。2015年1月28日 第一章绪论第一章绪论1．1碳化硅材料以及碳化硅MESFETs的优势和研究意义微波／毫米波器件和电路是当今微电子技术的重要发展方向。目前，微波功率放大系统主要的发展趋势是增大频谱宽度，增大功率及效率，减小器件和电路体积、重量和制造成本川。第一代硅、锗和第二代GaAs、InP等半导体材料 ...新型结构的碳化硅MESFET设计与仿真研究 - 道客巴巴
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碳化硅功率模块封装技术综述 - 知乎
2022年7月22日 为了解决上述问题，充分发挥碳化硅芯片潜在的巨大优势，近年来出现了许多针对碳化硅功率模块的新型 封装技术和方案，重点关注碳化硅功率模块封装中面临的电、热以及绝缘方面的挑战。本文从优化 2018年8月21日 该研究成果表明，具有三元层状的Y 3 Si 2 C 2 材料可成为碳化硅陶瓷新型 的烧结助剂，其具有低温液相存在和高温相分解的特性，能起到促进碳化硅陶瓷高温烧结过程中晶粒重排和晶界处重结晶的效果。该科研成果已在线发表在《欧洲陶瓷学会 ...宁波材料所制备出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂----中国科学 ...
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为什么要用碳化硅？解析蔚来第二代电驱系统 - 知乎
2021年10月20日 碳化硅 功率模块的供应商排着队让蔚来进行评估，这就有点凡尔赛了。7 关于「电驱动系统」对外销售的问题，蔚来最珍贵的是工程资源而不是产线资源，例如行业内紧缺的16000转以上的测试平台。目前XPT工厂正在与美国的一家初创公司进行合作 ...2023年1月28日 新型碳化硅超高压器件 终端技术 在碳化硅 IGBT的研制过程中，离子注入掺杂工艺在器件外围形成球面结和柱面结，因此需要设计有效的终端结构来提高高压碳化硅器件的击穿能力。常用于碳化硅终端技术的结构包括结终端扩展（JTE）、场限环（GR）、场板 更耐高压、更低功耗：新型碳化硅IGBT器件闪耀半导体器件 ...
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日本高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可 ...
2023年12月26日 新型多线切割设备可切割直径为10吋的晶圆 与硅基功率半导体相比，碳化硅材料功耗更低，预计在电动汽车（EV）等方向的需求有望进一步增长。晶圆尺寸越大，可以切割出的芯片数量就越多，因此晶圆厂家纷纷致力于向大尺寸晶圆“迈进”，如今已经从6吋向8吋（为6吋的1.8倍）过渡。2020年11月22日 新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展ProgressResearchWorkCMC--SiC摘要]新型碳化硅陶瓷基复合材料具有密度低、高强度、高韧性和耐高温等综合性能已得到世界各国高度重视，本文主要介绍了新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究和发展现状,阐述了CVCMC-SiC制造技术在我国的研究进展,开展了C..新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究及进展 - 豆丁网
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新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展 - 百度学术
摘要： 介绍了碳化硅陶瓷基复合材料的应用和发展现状,阐述了CVI-CMC-SiC制造技术在我国的研究进展,开展了CVI-CMC-SiC的性能与微结构特性的研究和CVI过程控制及其对性能影响的研究,研制了多种CMC-SiC和其构件.材料性能和整体研究与应用水平已跻身于国际 ...2005年5月1日 摘要 以碳化硅为无机基体制备了新型碳化硅/聚吡咯（SiC/PPy）导电复合材料。以氯化铁为氧化剂，通过吡咯的氧化聚合在水 ...新型碳化硅/聚吡咯复合材料；制备及理化性质,Materials ...
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新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展 - 钛学术文献服务平台
“新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展”出自《航空制造技术》期刊2003年第1期文献，主题关键词涉及有CVI制造技术、CMC-SiC 、微结构、应用研究等。钛学术提供该文献下载服务。 钛学术 文献服务平台 学术出版新技术应用与公共服务实验室出品 首页 ...
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